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提高半导体放电管抗浪涌能力的研究
提高半导体放电管抗浪涌能力的研究
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:monkey825
【摘 要】
:
半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件,抗浪涌能力是其最重要的特性参数之一。文中分析了浪涌条件下器件失效的高温物理机制,讨论了器件功耗与传热对抗浪涌能力的影响,指出采用多
【作 者】
:
刘凤美
余岳辉
【机 构】
:
华中理工大学电子科学与技术系
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1999年4期
【关键词】
:
半导体放电管
保护器件
抗浪涌能力
Protectivedevice
Semiconductorarrester
Surgehandlingcapability
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半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件,抗浪涌能力是其最重要的特性参数之一。文中分析了浪涌条件下器件失效的高温物理机制,讨论了器件功耗与传热对抗浪涌能力的影响,指出采用多元胞结构可降低由热量集中造成的最高结温,从而提高了器件的抗浪涌能力。
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