瞬时辐射对80C31单片机性能的影响

来源 :核电子学与探测技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dbfan
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以“闪光”-I加速器为剂量率瞬时辐射源,以工作电流作为判据,研究80C31单片机瞬时辐射效应。图1是γ剂量率为3.01×10^7Gy(Si)/s时的单片机输出波形。监测80C31微处理器的能端(A)、低位地址线(B)和低位数据线(C)来确定单片机工作状态。在辐照剂量率提高到3.01×10^7Gy(Si)/s时,程序存储使能端、低位地址线和低位数据线输出信号都消失,程序存储使能端输出了2.5V的直流电平,低位地址线输出了约1V的直流电平,而低位地址输出为零,此时单片机系统处于深闭锁。一分
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