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采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应，建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值，研究了Si2N4／SiO2、Al2O3／SiO2、HfO2／SiO2和La2O3／SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏电流随栅极电压和等效氧化层厚度变化的关系。依据计算结果，讨论了堆叠栅介质MOS器件按比例缩小的前景。