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利用扫描电子显微镜观察ＧａＡｓ外延层及ＩＲ－ＬＥＤ芯片的表面，测量了输出辐射强度随芯片表面不同形貌的变化，讨论了ＧａＡｓ红外发光二极管外延及芯片工艺对器件光学、电学性质的影响。结果显示，芯片表面玷污、划伤，电极磨损，使输出辐射强度降低。
GaAs红外发光管芯片的表面性质
【摘 要】
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利用扫描电子显微镜观察ＧａＡｓ外延层及ＩＲ－ＬＥＤ芯片的表面，测量了输出辐射强度随芯片表面不同形貌的变化，讨论了ＧａＡｓ红外发光二极管外延及芯片工艺对器件光学、电学性质的影响。结果显示，芯片表面
【机 构】
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厦门大学物理学系
【出 处】
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厦门大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1999年5期
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