【摘 要】
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采用磁控溅射和离子辅助沉积等方式制作多种ITO薄膜。结果发现LED器件电压主要受底部膜层沉积方式和第二段退火条件的影响。另外,膜层的最终表面对光萃取有显著影响,结合离子
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采用磁控溅射和离子辅助沉积等方式制作多种ITO薄膜。结果发现LED器件电压主要受底部膜层沉积方式和第二段退火条件的影响。另外,膜层的最终表面对光萃取有显著影响,结合离子辅助蒸镀技术,可获得更优光萃效果的纳米粗化表面,其中溅射200Å厚度搭配蒸镀100Å厚度的ITO复合膜系,经二次退火后具有最佳特性。
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