【摘 要】
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文章将讨论不挥发存储器单元-FLASH的擦写过程,包括对擦写原理的描述,重点对其擦写过程中的电流进行分析,建立了适用于该单元的电流模型,并结合本所工艺线的实验单元进行测试,对所建立的
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文章将讨论不挥发存储器单元-FLASH的擦写过程,包括对擦写原理的描述,重点对其擦写过程中的电流进行分析,建立了适用于该单元的电流模型,并结合本所工艺线的实验单元进行测试,对所建立的模型和理论进行验证。
The article will discuss the non-volatile memory unit -FLASH erase process, including the description of erase-write principle, focusing on the erase current in the process of analysis, the establishment of a suitable current model of the unit, combined with the process line Of the experimental unit to test the model and theory established to verify.
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