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绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）自发明以来,为了尽快提高性能,实现产业化。科研工作者在IGBT结构上不断改进,以期能进一步减小功耗,改善高温特性,扩展开关安全工作区（sOA）,降低制造成本。本文从提高IGBT耐压和通态电流出发,简单介绍一下IGBT的结构设计。