【摘 要】
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基于40 nm CMOS工艺,设计了一种前馈架构的3阶1位量化离散时间∑-△调制器.该调制器的信号带宽为100 kHz,过采样比为128.为了适应低电压环境,输入端开关采用栅压自举结构以提
【机 构】
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东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
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基于40 nm CMOS工艺,设计了一种前馈架构的3阶1位量化离散时间∑-△调制器.该调制器的信号带宽为100 kHz,过采样比为128.为了适应低电压环境,输入端开关采用栅压自举结构以提升采样信号的线性度,运算放大器采用两级结构以增加输出摆幅.为了降低系统功耗,比较器采用动态结构实现.仿真结果表明,在1.2V电源电压下,该调制器的最高信噪比为88.1 dB,功耗为1.5 mW.
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