【摘 要】
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在有效质量近似下,结合外场对材料性质的改变,并考虑压电电子学相关观点,从计算上研究了外场对闪锌矿InAs/GaAs量子点光学性质的影响,并与实验结果进行了比对.结果 表明:形变
【机 构】
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山西大学物理电子工程学院,山西太原030006
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在有效质量近似下,结合外场对材料性质的改变,并考虑压电电子学相关观点,从计算上研究了外场对闪锌矿InAs/GaAs量子点光学性质的影响,并与实验结果进行了比对.结果 表明:形变会导致量子点光吸收谱线强度降低,但吸收峰峰位向高频方向移动.考虑因形变增大而加强的压电势影响时,量子点的光吸收强度降低更加明显,向低能方向快速移动;光吸收峰峰位仍向着高能方向移动,发生蓝移,但蓝移减少.温度的升高会导致光吸收谱线强度降低,光吸收峰峰位蓝移.综合考虑了形变与温度的影响,加入压电势的理论计算结果与实验所得数据更加吻合.
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