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在N2、Ar气氛中，采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜，并对各样品的形貌结构、化学纽分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明，沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta—N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长；Al2O3陶瓷基底沉积的Ta-N为单相薄膜，而玻璃基底上的Ta—N薄膜，随N2、Ar流量比增加，呈单相向多相共存转变；薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关，这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响；N2、Ar流量比相同时，玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜