【摘 要】
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用缀加平面波加局域轨道方法计算了立方GaN及其非极性(110)表面的原子结构和电子结构,得到的GaN晶格常数及体积弹性模量与实验值符合得很好.用层晶超原胞模型计算立方GaN (11
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室
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用缀加平面波加局域轨道方法计算了立方GaN及其非极性(110)表面的原子结构和电子结构,得到的GaN晶格常数及体积弹性模量与实验值符合得很好.用层晶超原胞模型计算立方GaN (110)表面的原子和电子结构,发现表面顶层原子发生键长收缩并旋转的弛豫特性,表面阳离子向体内移动,与周围阴离子形成sp2杂化, 而表面阴离子则形成p3型锥形结构.其面旋角为14.1°,比传统的Ⅲ-V族半导体(110)表面面旋角(30°±2°)小得多, 这主要与材料的离子性有关. 此外,在带隙附
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