【摘 要】
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HCl电子气体是集成电路制程中刻蚀和清洗的关键气体,其水分、金属离子等有害杂质需严格控制,ppbv(10-9)级深度除水对保障HCl电子气体的纯度、品质稳定性和制程应用效果至关重
【机 构】
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浙江博瑞电子科技有限公司,浙江师范大学先进催化材料教育部重点实验室,衢州氟硅技术研究院
【基金项目】
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国家重点研发计划项目课题(2017YFB04055801)
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HCl电子气体是集成电路制程中刻蚀和清洗的关键气体,其水分、金属离子等有害杂质需严格控制,ppbv(10-9)级深度除水对保障HCl电子气体的纯度、品质稳定性和制程应用效果至关重要。常规活性炭虽然耐HCl腐蚀,具有较高比表面积,但除水活性有限。该工作对活性炭进行了酰氯化修饰,并研究了酰氯化活性炭对HCl电子气体的深度除水作用。结果表明,活性炭经氧化酸化和酰氯化处理后,形成的表面酰氯化官能团可选择性地与HCl电子气体中的ppmv(10-6)级水分反应,将水分转化为HCl,使HCl电子气体中水分降至ppbv级
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