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本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法.西安微电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品.测试结果表明,其在20V的栅压下能在4μs内关断50A/cm2的阴极电流.
10A／500V MCT器件的研制
【摘 要】
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本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法.西安微电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品.测试结果表明,其在
【机 构】
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中南林学院电子信息工程学院,西安理工大学自动化学院
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2003年9期
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