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中科院上海微系统与信息技术研究所经过多年努力，发现了自主SiSbTe体系相变材料，验证了SiSbTe具有低于传统Ge2Sb2Te5的功耗、更高的数据保持力和更快的相变速度。
自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片
【摘 要】
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中科院上海微系统与信息技术研究所经过多年努力，发现了自主SiSbTe体系相变材料，验证了SiSbTe具有低于传统Ge2Sb2Te5的功耗、更高的数据保持力和更快的相变速度。
【机 构】
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中科院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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中国材料进展
【发表日期】
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2012年8期
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