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在二维空穴掺杂t-t′-J—U模型和重整化平均场理论的框架下，用Gutzwiller方法研究了电子次近邻跃迁对空穴掺杂超导体的超导电性的影响。在掺杂浓度小于0．1的欠掺杂区，随着电子次近邻跃迁的增大，超导序参数在欠掺杂区域受到抑制，而在过掺杂区得到加强。
空穴掺杂超导体的超导电性
【摘 要】
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在二维空穴掺杂t-t′-J—U模型和重整化平均场理论的框架下，用Gutzwiller方法研究了电子次近邻跃迁对空穴掺杂超导体的超导电性的影响。在掺杂浓度小于0．1的欠掺杂区，随着电子次
【机 构】
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海军航空工程学院理化实验中心
【出 处】
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光谱实验室
【发表日期】
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2010年1期
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