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硅像素径迹室是BESIII升级项目之一，离线软件校准是其离线数据处理系统的重要组成部分，研究过程采用蒙特卡罗方法，将残差法应用于漂移室升级项目中硅像素径迹室的几何位置校准，分别以ladder、芯片为最小探测单元进行研究，结果表明，该方法可有效应用于硅像素径迹室的位置校准。
BESIII升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究
【摘 要】
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硅像素径迹室是BESIII升级项目之一，离线软件校准是其离线数据处理系统的重要组成部分，研究过程采用蒙特卡罗方法，将残差法应用于漂移室升级项目中硅像素径迹室的几何位置校准，分
【机 构】
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东北师范大学,中国科学院高能物理研究所
【出 处】
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核电子学与探测技术
【发表日期】
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2016年4期
【基金项目】
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国家重点基础研究（2015CB856700）,国家自然科学基金（11575222,U1232201,11205184）资助.
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