【摘 要】
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报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术在高掺p+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚
【机 构】
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南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室; 西安交通大学电子与信息工程学院;
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报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术在高掺p+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10-5Ω·cm2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm2,比导通电阻0.45 mΩ·cm2,整流比1×1010以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。
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