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采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为22nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖析，给出了Ti／AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产物。结合卢瑟福背散射谱（RBS），X射线衍射分析（XRD）和Ti-Al－N三元相图推断，铝化物是Ti-Al二元和Ti-Al-N三元化合物。经850℃退火4h后其主要由Ti2AlN组成。