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为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构。采用密度泛函理论下的第一性原理计算,对不同掺杂浓度的最可能存在掺杂结构进行了计算,结果表明随着掺杂浓度的增加碳纳米管的能带间隙呈现增大的趋势。
掺硼锯齿型单壁碳纳米管的电子结构
【摘 要】
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为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构。采用密度泛函理论下的第一性原理计算,对不同掺杂浓度的最可能存在
【机 构】
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宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2008年05期
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