【摘 要】
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对SiC粒子进行了多种预处理工艺试验，得出SiC粒子在920℃高温焙烧氧化，再在HF酸(1.5(vol.)％)与丙酮混合液、丙酮中清洗球磨工艺是较优的预处理工艺。应用搅熔铸造工艺，处理后的Si
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对SiC粒子进行了多种预处理工艺试验，得出SiC粒子在920℃高温焙烧氧化，再在HF酸(1.5(vol.)％)与丙酮混合液、丙酮中清洗球磨工艺是较优的预处理工艺。应用搅熔铸造工艺，处理后的SiC颗粒能较易分散到含镁的ZA-27合金液中。用SEM、EDS、XRD和TEM测定和分析了预处理前后SiC表面状态，得出SiC颗粒表面物理、化学吸附的气体是阻止其分散进入ZA-27合金液的主要原因，SiC表面的微细粉末和Si离子是气体吸附源；确定了SiC表面SiO层的存在形式，并确定所使用SiC有三种结构类型，颗粒中含有游离碳。
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