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采用化学气相沉积方法，以ZnO及无定形碳粉末为原料，高纯Ar气为载气，在单晶硅和Al2O3基底上，用化学气相沉积技术，在750—1050℃范围内制备了取向的纳米ZnO晶体阵列．用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和荧光光谱（PL）等方法对ZnO薄膜阵列的结构和性能进行了表征，发现沉积温度对取向ZnO纳米阵列的生长结构和光致发光特性有重要影响，并就生长条件对纳米ZnO晶体阵列性能的影响因素进行了讨论分析．