【摘 要】
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用固态再结晶法生长了掺Sb-Hg0.8Cd0.2Te晶体。通过对掺杂晶片不同条件的热处理,促使晶体内的缺陷状态发生变化,并用热处理后迅速淬火的方法冻结高温下的缺陷状态。电学测量
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用固态再结晶法生长了掺Sb-Hg0.8Cd0.2Te晶体。通过对掺杂晶片不同条件的热处理,促使晶体内的缺陷状态发生变化,并用热处理后迅速淬火的方法冻结高温下的缺陷状态。电学测量结果表明:掺杂样品的空穴浓度和热处理条件的关系明显不同于未掺杂样品。根据缺陷化学平衡理论分析认为重掺杂样品中Sb大多数以中性复合缺陷的形式存在,Sb具有受主、施主二重性,其状态和高温热处理条件有关。更多还原
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