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目的
探索颞叶癫痫患者认知功能障碍的影响因素及其与事件相关电位的相关性。
方法根据纳入排除标准选取60例颞叶癫痫患者，收集临床资料(包括发病年龄、病程、发作类型、发作频率和服用抗癫痫药物)，对所有入组的患者均完善事件相关电位的检测(包括N1、P2、N2、P3波的潜伏期和P3波的波幅)进行综合分析。
结果颞叶癫痫患者：N1、P2、N2、P3各波的潜伏期和P3波的波幅均值依次为(108.47±24.58)ms、(181.70±29.63)ms、(255.63±32.66)ms、(367.03±40.43)ms、(6.45±5.84)μV，发病年龄≤14岁组与发病年龄>14岁组ERPs(P3波的潜伏期)比较差异具有统计学意义(P<0.05)；病程>5年组与病程≤5年组ERPs(N2波、P3波的潜伏期)比较差异具有统计学意义(P<0.05)；存在全面性发作组与只有部分性发作组ERPs(P3波的波幅)比较差异具有统计学意义(P<0.05)；发作次数>4次/月组与发作次数≤4次/月组ERPs(P3波的潜伏期)比较差异具有统计学意义(P<0.05)；联合用药组与单药治疗组ERPs(N2波的潜伏期)比较差异具有统计学意义(P<0.05)；颞叶癫痫的病程、联合用药是N2波的潜伏期的影响因素(P<0.05)；颞叶癫痫发作频率、发病年龄及病程是P3波潜伏期的影响因素(P<0.05)。
结论颞叶癫痫的发病年龄、病程、发作类型、发作频率及服用抗癫痫药物是患者认知功能障碍的重要影响因素，在事件相关电位中表现为对认知不同阶段产生不同方面的影响。