【摘 要】
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Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）铁电陶瓷具有高的剩余极化强度,是性能良好的记忆存贮材料。为了制备存贮单元,本研究采用溶胶-凝胶法配合紫外光感技术制备PZT陶瓷膜,在溶液中添加紫外吸
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Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）铁电陶瓷具有高的剩余极化强度,是性能良好的记忆存贮材料。为了制备存贮单元,本研究采用溶胶-凝胶法配合紫外光感技术制备PZT陶瓷膜,在溶液中添加紫外吸收剂,提拉形成凝胶膜,通过掩膜板遮蔽紫外光,实现紫外光对薄膜选择性的加工,制备PZT存贮阵列。通过紫外光辐照时间的探索,确定了最佳的辐照时间,使用光感法制备的PZT阵列分布均匀,膜层没有缺陷,经过500℃热处理后,薄膜致密且厚度均一,PZT表现出良好的铁电性能,剩余极化强度为16μC/cm^2。
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