【摘 要】
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我们采用具有电控可变电导的 SI/PO(串行输入/并行输出)CCD(电荷耦合器件)作为自适应横向滤波器的基本部件,并把 MNOS(金属—氮化物—氧化物—硅)存储晶体管当作自适应权的
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我们采用具有电控可变电导的 SI/PO(串行输入/并行输出)CCD(电荷耦合器件)作为自适应横向滤波器的基本部件,并把 MNOS(金属—氮化物—氧化物—硅)存储晶体管当作自适应权的器件。在三极管特性区内,MNOS 晶体管的漏-源电导可表示为
We used an SI / PO (Charge Coupled Device) CCD with electronically controlled variable conductance as an essential part of an adaptive transversal filter and incorporated MNOS (Metal Nitride Oxide-Silicon) Memory transistor as a self-adaptive device. In the triode characteristic region, the drain-source conductance of the MNOS transistor can be expressed as
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