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,Stress and morphology of a nonpolar a-plane GaN layer on r-plane sapphire substrate
【作 者】
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【机 构】
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Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian Univers
【出 处】
:
中国物理B(英文版)
【发表日期】
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2011年10期
其他文献
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