【摘 要】
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基于90 nm CMOS工艺,设计实现了一种谐振频率为26 GHz的低噪声宽调谐范围的LC压控振荡器.分析了相邻MOM电容间的寄生电容并计入整体电容阵列当中,提高了谐振网络的品质因数,
【机 构】
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北京理工大学信息与电子学院,北京理工微电科技有限公司,中国人民解放军32039部队,福建省软件评测工程技术研究中心
【基金项目】
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国家自然科学基金(61301006,61801027)
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基于90 nm CMOS工艺,设计实现了一种谐振频率为26 GHz的低噪声宽调谐范围的LC压控振荡器.分析了相邻MOM电容间的寄生电容并计入整体电容阵列当中,提高了谐振网络的品质因数,同时缩减了面积.分析了压控振荡器的相位噪声,采用了大尺寸尾电流管并覆盖大面积偏置滤波网络结构对相位噪声进行优化.经过测试验证,压控振荡器的谐振频率范围为24.2~29.6 GHz.当谐振频率为26 GHz时,在1 MHz频偏处相位噪声为-97.4 dBc/Hz,电路功耗为9.6 mW,FoMT值为-182.5.
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