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采用基于第一性原理的密度泛函方法对Si（001）-p（2×2）表面的原子结构和电子态进行了系统的研究。计算采用的是含有8个Si原子层的超晶胞结构，且电子态是由Si（001）-p（2×2）表面的优化结构分析所得。计算结果表明表面形成了非对称二聚体，近表面几层原子发生相应的弛豫现象。由于表面原子的配位环境发生变化，表面原子的电荷分布也发生了变化。通过对比，得到了与实验结果一致的计算结果。