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针对选择性激光烧结技术(SLS)成型陶瓷材料致密性低、力学性能差的问题,采用选择性激光烧结技术(SLS)与聚合物浸渍裂解技术(PIP)相结合的方法,以碳化硅、环氧树脂和聚碳硅烷为原料,制备SiC/SiC陶瓷基复合材料。研究选择性激光烧结工艺参数、试件尺寸精度、微观结构及弯曲性能。结果表明:通过SLS/PIP技术可有效降低碳化硅陶瓷试件的孔隙率,试件密度为2.45 g/cm^3,弯曲强度达到138.28 MPa。该方法可以实现传统方法无法解决的表面及内部复杂结构碳化硅陶瓷基复合材料的制备问题。