【摘 要】
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用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al0.15Ga0.85N/GaN MODFET 的直流特性. 模拟器件的栅极长度Lg为0.2 m, 沟道长度LDS为0.4 m. 在模拟得到的IDS-VDS输出特性曲线中, 发现了微
【机 构】
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河北大学电子信息工程学院,Beckman Institute
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用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al0.15Ga0.85N/GaN MODFET 的直流特性. 模拟器件的栅极长度Lg为0.2 m, 沟道长度LDS为0.4 m. 在模拟得到的IDS-VDS输出特性曲线中, 发现了微分负阻效应, 即VGS为固定值时, 当VDS逐渐增加, 并达到某一阈值时, IDS会随着VDS的增大而减小. 对GaN体材料的速度-电场特性和对器件的二维电子气沟道内的电场和速度分布的分析表明, 沟道内电子平均漂移速度的负阻效应导致了输出特性的微分负阻效应, 二维电子气沟道内的瞬态输运对微分负阻特性也有一定影响. 这种效应只有在超短沟道MODFET中才能发生.
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