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利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜（TAO）．根据霍尔效应测试结果，当Sn／Sb原子比处于0．22—0．33范围内时，TAO薄膜是P型导电的，在此范围之外，TAO薄膜是n型导电的．光学带隙测量结果表明，不同Sn／Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同（-3．9eV）．构造了一个全透明的PN结，其中11区为Sn／Sb原子比为0．5的TAO薄膜，P区为Sn／Sb原子比为0．33的TAO薄膜．n区TAO的电极用铟锡氧化物（ITO），P区TAO的电极用Cu薄膜．实验结果表明，由于两种导电类型的TAO薄膜具