应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhou0168

【摘要】

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对化学气相沉积 (MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光 (PL)光谱进行了测量 ,用Raman光谱和x射线衍射 (XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定 ,

【作者】

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徐波余庆选吴气虹廖源王冠中方容川

【机构】

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中国科学技术大学结构分析中心; 中国科学技术大学物理系合肥230026; 合肥230026;

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2004年01期

【关键词】

：

光致发光应力 Raman光谱

【基金项目】

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国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 2 4);安徽省自然科学基金 (批准号 :0 10 44 70 1)资助的课题~~

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对化学气相沉积 (MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光 (PL)光谱进行了测量 ,用Raman光谱和x射线衍射 (XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定 ,通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响 ,从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律 .

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