【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理GGA+U方法研究了YMn2O5的能带结构、态密度.Mulliken电荷布居和光学性质,计算结果表明:YMn2O5为间接带隙半导体,理论禁带宽度为0.927 eV;电
【机 构】
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大连交通大学辽宁省无机超细粉体制备及应用重点实验室,河南黄河旋风股份有限公司,大连理工大学环境学院
【基金项目】
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国家重点研发计划项目资助(2017YFB0310300)
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采用基于密度泛函理论的第一性原理GGA+U方法研究了YMn2O5的能带结构、态密度.Mulliken电荷布居和光学性质,计算结果表明:YMn2O5为间接带隙半导体,理论禁带宽度为0.927 eV;电荷密度图和布居分析可知,YMn2O5为离子和共价兼有的化合物,Mn 3d轨道与02p轨道发生了sp3轨道杂化,易形成四面体结构;利用计算的能带结构和态密度分析了YMn2O5的光学性质,该材料的静态介电常数值为5.72.
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