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应用增益补偿技术,设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器,该电路具有较低的压控增益,较好的线性,较强的噪声抑制能力.采用1stsilicon 0.25μmCMOS工艺进行仿真,结果显示:在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为-108dBc.
低噪声CMOS环型压控振荡器的设计
【摘 要】
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应用增益补偿技术,设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器,该电路具有较低的压控增益,较好的线性,较强的噪声抑制能力.采用1stsilicon 0.25μmCMOS工艺进行仿真,
【机 构】
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华中科技大学图像信息处理与智能控制教育部重点实验室,华中科技大学图像信息处理与智能控制教育部重点实验室,武汉亚芯微电子有限公司,华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学图像信息处理与智能控制教育部重
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2004年7期
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