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对硅片直接键合／绝缘体上硅（SDB／SOI）双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下，研究了应力作用时间与器件参数的退化关系。实验结果表明，电流放大倍数β与退化时间的平方根呈线性关系；不同的反向偏压下，退化的速度也不同。建立了器件的退化模型，对双极器件在使用条件下的可靠性进行了分析。