论文部分内容阅读
在微电子学的发展历程中,集成电路(IC)的发明是最具里程碑意义的创新之一.几十年来,IC始终保持着空前的增长率.目前超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸缩至深亚微米,将在材料、技术以及基本物理规律等诸多方面面临"巨大的挑战".微电子技术的发展从依靠缩小硅基芯片上元器件的特征尺寸来增加集成度的一维方式演变成向多维发展的模式.文章对深亚微米各技术时代ULSI的发展历程中所遇到的一些材料、技术物理问题以及研究成果进行综述评论,跟踪微电子技术的发展进程.微电子技术已逼近微电子器件的物理极限,