【摘 要】
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讨论了CuO添加对BiNbO4微波介质材料的结构和性能的影响.结果表明,添加CuO可促进晶粒生长,使得BiNbO4材料在较低的温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过
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讨论了CuO添加对BiNbO4微波介质材料的结构和性能的影响.结果表明,添加CuO可促进晶粒生长,使得BiNbO4材料在较低的温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后Q×f迅速降低.Q×f降低的原因主要与添加后引起的介电弛豫有关,也与添加后第二相的出现及晶粒尺寸减小有关.最佳的CuO的添加量为0.2%(质量比),添加后材料可在920 °C烧结,介电性能为:εr≈45(5 GHz),Q×f≥10 THz.
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