日本公司使MOCVD法面目一新

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fazaizhaoyun
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作为釆用III-V族化合物半导体晶片制作光电器件时费用上最上算的一种方法,即金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)法,正在加入半导体生产技术的主要行列。MOCVD法除有控制性好及生产率高等优点外,还能比现在流行的液相外延法制作出更大的晶片。虽然分子束外延法控制性更好,但其设备费用较高,产量也较低。
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基于近红外被动差分吸收光谱技术(IR-DOAS)反演了大气中水汽柱浓度。从Hitran数据库中获取高分辨率截面,利用Voigt线型进行不同温压条件下的线性展宽,获得不同反演吸收截面。以仰角为90°的光谱作为参考谱,对光谱进行反演,获取垂直柱浓度。通过与太阳光度计(CE-318)进行对比发现,结果具有很好的趋势一致性,线性相关系数为0.99,且IR-DOAS的反演值与CE-318结果的差值在IR-DOAS反演误差范围内。将其应用于水汽斜柱浓度的空间分布获取发现,垂直方向水汽斜柱浓度随仰角的变化呈梯度变化,水