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在４×１０＾９Ｐａ，１０２５℃条件下合成三硫化铌，由ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析了样品的结构，高压合成的三硫化铌属单斜晶系，用其作阴极材料，研究了铜离了对它的插和及其固电池。
高压合成的三硫化铌及其铜离子的插入效应
【摘 要】
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在４×１０＾９Ｐａ，１０２５℃条件下合成三硫化铌，由ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析了样品的结构，高压合成的三硫化铌属单斜晶系，用其作阴极材料，研究了铜离了对它的插和及其固电池。
【机 构】
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贵州工业大学基础部,中国科学院地球化学所
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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1996年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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