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利用磁控溅射设备在含有电路的6in.晶元上沉积惠斯通电桥形状的NiFe薄膜,对薄膜进行磁场退火处理,然后对薄膜进行后续的加工和封装,成功制备出磁阻开关芯片,经过测试获得芯片的相关电磁参数,发现其开关性能优异,温度稳定性好,静态功耗低,已经达到国外同类产品的性能.
基于NiFe薄膜AMR效应磁阻开关芯片的研究
【摘 要】
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利用磁控溅射设备在含有电路的6in.晶元上沉积惠斯通电桥形状的NiFe薄膜,对薄膜进行磁场退火处理,然后对薄膜进行后续的加工和封装,成功制备出磁阻开关芯片,经过测试获得芯片
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,贵州雅光电子科技股份有限公司,成都芯进电子有限公司
【出 处】
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传感器世界
【发表日期】
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2015年5期
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