【摘 要】
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基于CSMC0．5μmBCD工艺，设计了一种应用于片上系统（SOC）芯片的低温漂高电源抑制的带隙基准电路．采用一种带有负反馈环路调整型的电压预调整电路，并且将基准电压形成于负反馈环路，基
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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基于CSMC0．5μmBCD工艺，设计了一种应用于片上系统（SOC）芯片的低温漂高电源抑制的带隙基准电路．采用一种带有负反馈环路调整型的电压预调整电路，并且将基准电压形成于负反馈环路，基准电路的电源抑制特性得到显著提高．仿真得到的电源抑制比分别为-177．6dB@dc，-82．7dB@1MHz．此电路可以在-55～125℃范围内实现较小的温度系数，温度系数为5．76×10^（-6）／℃．
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