【摘 要】
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采用离子束溅射和退火工艺制备了一种新的相变型薄膜VO2.此种薄膜的方块电阻为120～148 kΩ,电阻-温度关系曲线显示该薄膜的相变温度接近室温.SEM分析表明,所制备的薄膜致密均
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采用离子束溅射和退火工艺制备了一种新的相变型薄膜VO2.此种薄膜的方块电阻为120～148 kΩ,电阻-温度关系曲线显示该薄膜的相变温度接近室温.SEM分析表明,所制备的薄膜致密均匀.样品的明场透射电子显微图像显示,制备的薄膜是多晶薄膜,晶粒尺寸达到纳米数量级.XRD分析表明,该薄膜的成分中除了含有VO2外,还含有V2O5,说明该工艺制备的是含有VO2的混合物,而不是纯VO2薄膜.
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