富磷熔体中生长的φ100mm掺硫InP单晶研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangkai198610

【摘要】

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采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了φ100 mm InP掺硫单晶材料.对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相

【作者】

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周晓龙安娜孙聂枫徐永强杨光耀谢德良刘

【机构】

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中国电子科技集团公司第十三研究所,电子科技大学微电子与固体电子学院三系,中国电子科技集团公司第四十六研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2004年1期

【关键词】

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磷化铟掺硫单晶材料位错密度原位磷注入合成法富磷熔体 indium phosphide(InP) P-riched PL mapping etch-

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了φ100 mm InP掺硫单晶材料.对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究.结果表明在富磷量足够大的情况下,晶片上会出现孔洞,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析.φ100 mm InP单晶的平均位错密度也没有明显的增加,为今后生长更大尺寸的完整InP单晶奠定了良好的基础.

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