【摘 要】
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采用电子束蒸镀法在SiO2/Si基底上蒸镀厚度为100 nm的硫化镉薄膜,然后利用掩膜版蒸镀电极,成功制备出了硫化镉薄膜光探测器。运用XRD、XPS和AFM对硫化镉薄膜进行了表征,结果
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目(21473047)
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采用电子束蒸镀法在SiO2/Si基底上蒸镀厚度为100 nm的硫化镉薄膜,然后利用掩膜版蒸镀电极,成功制备出了硫化镉薄膜光探测器。运用XRD、XPS和AFM对硫化镉薄膜进行了表征,结果表明所制备的薄膜具有非常好的致密性和良好的结晶性。光响应测试表明,所构筑的硫化镉薄膜光探测器光响应性能优异,在功率为1 mW/cm2,波长为365 nm紫外光照射下的响应度达到22 A/W,同时也其可重复性进行了验证。该工作表明电子束蒸镀法是一种有效制备薄膜光探测器的手段。
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