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为了获得高质量的KMgF3晶体，采用提拉法，在CF4气氛中进行了晶体生长。对生长过程中的挥发物和结晶余料进行了物相分析，并测试了晶体红外透射光谱。由测试结果可知，晶体生长过程中的主要挥发物为KF，析晶率较大时的结晶余料中出现MgF2相，红外光谱中未出现OH^-的吸收，但COH的吸收比较明显。结果表明，CF4气氛有利于KMgF3晶体生长过程中H2O等氧源的消除，生长过程中有效地抑制KF的挥发并适当地补充KF，是KMgF3晶体生长中不可忽略的问题。