【摘 要】
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文章主要讨论如何通过优化高浓度BBr3扩散工艺,解决P型芯片的VBES参数偏大的问题,从而提高VBES测试成品率。P型芯片发射极杂质扩散的扩散源是液态BBr3,通过O2携带,进入扩散炉
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文章主要讨论如何通过优化高浓度BBr3扩散工艺,解决P型芯片的VBES参数偏大的问题,从而提高VBES测试成品率。P型芯片发射极杂质扩散的扩散源是液态BBr3,通过O2携带,进入扩散炉内。在炉内高温作用下发生化学反应,释放出B杂质,完成发射区的B掺杂。在化学反应过程中,同时也会生成B2O3,当B2O3含量过高,就会堆积在发射区表面形成＂斑污＂,阻止B杂质的再扩散,导致芯片VBES偏大不合格。通过控制BBr3和O2在扩散炉内的比例,降低B2O3的含量,保证B杂质的正常扩散,提高VBES的合格率。
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