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以 V2 O5 粉末为原料采用真空蒸发镀膜法结合真空退火还原的方法 ,在单晶 Si(10 0 )衬底上得到了以 VO2 为主的薄膜。采用 X射线衍射 (XRD)技术和扫描电子显微镜 (SEM)技术对不同退火条件下所得薄膜的物相和表面形貌进行分析 ,得到了薄膜的微观结构与退火条件的关系 ,并对最佳退火条件进行了探索