一种用于深亚微米电路模拟的高精度MOST宏模型

来源 :安徽大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：qdjmyuzhou

【摘要】

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提供了一种新的方法，用于建立深亚微米电路中MOST的伏安特性方程．该方法根据深亚微米MOST的数值模拟结果或实测结果，直接将小尺寸MOST特性方程用函数拟合技术，在Matlab中用程序实

【作者】

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徐太龙柯导明陈军宁叶云飞张婷吴昊洪琪

【机构】

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安徽大学电子科学与技术学院

【出处】

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安徽大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2006年5期

【关键词】

：

深亚微米MOST 函数拟合电路模拟 deep sub- micron MOST function fitting circuit simulation

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提供了一种新的方法，用于建立深亚微米电路中MOST的伏安特性方程．该方法根据深亚微米MOST的数值模拟结果或实测结果，直接将小尺寸MOST特性方程用函数拟合技术，在Matlab中用程序实现，所建立的伏安特性方程没有非饱和区、饱和区的间断点，是一个不分区间的统一表达式．对所得到的结果进行了计算验证，证明了建模方法和结果的正确性．

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