非对称结构大功率940nm量子阱激光器

来源 :强激光与粒子束 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lansu_0754

【摘要】

：

为改善940nm大功率InGaAs／GaAs半导体激光器输出特性，通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布，并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气

【作者】

：

蒋锴李沛旭张新汤庆敏夏伟徐现刚

【机构】

：

晶体材料国家重点实验室山东大学,山东华光光电子有限公司

【出处】

：

强激光与粒子束

【发表日期】

：

2014年5期

【关键词】

：

量子阱激光器大功率非对称结构 InGaAs/GaAs 金属有机物化学气相沉积

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为改善940nm大功率InGaAs／GaAs半导体激光器输出特性，通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布，并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积（LP—MOCVD）生长技术，获得了低内吸收系数的高质量外延材料，通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0．44mm-1。进而通过管芯工艺制作了条宽100μm、腔长2000μm的940nm半导体激光器器件。25℃室温10A直流连续（CW）测试镀膜后器件阈值电流251mA，斜率效率1．22W／A，最大输出功率达到9．6

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