论文部分内容阅读
利用Monte Carlo模型研究了用PCVD法沉积α-Si:H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段，即成核阶段和晶核成长阶段；3种动力学过程，即粒子入射，吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明，随着衬底温度的升高，团簇的数目和大小都有所增长，且存在一个最佳温度550K，使团簇的数目达到饱和，晶粒为最大，与实验结果基本相符。